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電路級靜電防護設計技巧及防護

更新時間:2025-05-06      點擊次數(shù):569

靜電放電(ESD)理論研究已經發(fā)展成熟,為模擬分析靜電事件,前人設計了多種靜電放電模型,包括但不限于人體模型(HBM)、帶電器件模型、場感應模型、場增強模型、機器模型和電容耦合模型等。在芯片級,通常采用HBM進行測試,電子產品則依據(jù)IEC 6 1000-4-2的放電模型進行測試。歐洲共同體通過IEC 61000-4-2建立了嚴格瞬變沖擊抑制標準,確保產品符合這一標準后,方可銷往歐洲成員國。

IEC 61000-4-2規(guī)定的靜電放電發(fā)生器分為接觸放電和空氣放電兩種類型。靜電放電現(xiàn)象主要電流特征為1nS左右的上升沿,對ESD保護器件的響應時間提出了嚴格要求。靜電放電發(fā)生器的能量集中在幾十MHz至500MHz的頻段,通常通過濾波器濾除特定頻帶的能量實現(xiàn)靜電防護。

IEC 61000-4-2制定了幾個靜電放電發(fā)生器試驗等級,目前手機CTA測試執(zhí)行的是3級標準,即接觸放電6KV,空氣放電8KV。多數(shù)手機廠家會執(zhí)行更高級別的靜電防護等級。

集成電路(IC)遭受ESD時,放電回路的電阻通常極小,無法限制放電電流,導致高達數(shù)十安培的瞬間電流流入IC管腳。這可能會嚴重損傷IC,甚至融化硅片管芯。ESD還可能導致IC內部金屬連接被燒斷、鈍化層受損以及晶體管單元被燒壞。

ESD可能引發(fā)IC的死鎖效應。這種現(xiàn)象與CMOS器件內部類似可控硅的結構單元被激活有關,高電壓激活這些結構形成大電流通道,通常從電源VCC至地。串行接口器件的死鎖電流可高達1A。死鎖電流會持續(xù)到器件斷電,此時IC通常因過熱而燒毀。

針對電路級ESD防護,常見的方法包括并聯(lián)放電器件、串聯(lián)阻抗、增加濾波網絡以及復合防護。并聯(lián)放電器件包括TVS、齊納二極管、壓敏電阻和氣體放電管,各有其特點和適用場景。串聯(lián)阻抗通過串聯(lián)電阻或磁珠限制ESD放電電流。濾波網絡則能有效濾除靜電能量。復合防護結合了電阻和放電器件,提供更全面的防護效果。

為了進一步提升防護效果,還可以增加吸收回路,通過在敏感信號附件設置地的漏銅或放置尖()端放電點(火花隙)來吸收靜電。這些措施共同作用,確保電路在ESD事件中保持穩(wěn)定運行。

在實際應用中,選擇合適的ESD防護策略和器件至關重要,需根據(jù)電路的具體需求和成本考量進行綜合考慮。通過采用適當?shù)姆雷o措施,可以有效減少ESD對電路的損害,保障產品的可靠性和穩(wěn)定性。

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